Produção Nacional
Influência da espessura do filme antirreflexo de TiO2 nos parâmetros elétricos de células solares com base N
2017; Volume: 3; Issue: 1 Linguagem: Português
10.59627/rbens.2012v3i1.75
ISSN2526-2831
AutoresMoussa Ly, Izete Zanesco, Adriano Moehlecke, Raquel Sanguiné Fagundes, Angélica Souza Cenci, Natália Feijó Lopes, Vanessa Alves Gonçalves, Deise Cristina Da Silva,
Tópico(s)Silicon and Solar Cell Technologies
ResumoA redução da reflexão na superfície de células solares de silício é realizada com a deposição de filmes finos. O filme antirreflexo (AR) de TiO 2 pode ser mais adequado para células solares com emissor de boro. Porém, sabe-se que as características do filme são alteradas durante o processo de queima das pastas de metalização. Consequentemente, a variação do filme AR influencia na eficiência do dispositivo. O objetivo deste trabalho é analisar a variação do filme antirreflexo de TiO 2 e a influência nas características elétricas das células com emissor de boro. Para fabricar as células solares, foram depositados filmes AR de TiO2 de diferentes espessuras e variou-se a temperatura do processo de queima das pastas de metalização para encontrar a melhor temperatura para cada espessura do filme AR. Confirmou-se a variação da espessura, da refletância e do comprimento de onda que corresponde à mínima refletância no processo de queima das pastas metálicas, para o filme AR de TiO2, depositado pela técnica de evaporação em alto vácuo com canhão de elétrons. Para espessuras depositadas do filme de 62 nm a 103 nm, a refletância média final variou de 3 % a 4 %. A melhor eficiência média de 13,6 % foi obtida para a espessura do filme de 97 nm após o processo de queima, com refletância média de 3,3 %. O fator de forma praticamente não foi afetado pelo aumento da espessura do filme AR, porém a tensão de circuito aberto e a densidade de corrente de curto-circuito apresentaram uma tendência de crescimento com o aumento da espessura do filme AR até a espessura de 103 nm.
Referência(s)