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Estructura electrónica en sistemas cristalinos de Ge, GaP y SiC

2018; National University of San Marcos; Volume: 20; Issue: 2 Linguagem: Espanhol

10.15381/rif.v20i2.15164

1728-2977

César Cabrera, Milagros Daniela Durand Poma,

Silicon Carbide Semiconductor Technologies

Se estudia la estructura electrónica de los cristales de Germanio y de los compuestos cristalinos de Galio-Fosforo y de Silicio-Carbón, usando un potencial funcional de la densidad local de spin (LDA) y el método LMTO se calculan las bandas de energía, la banda de energía prohibida, la densidad de estados DOS, la energía total del sistema cristalino. Las propiedades electrónicas se ajustan bien a los resultados experimentales.