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CONTACTOS ELÉCTRICOS TRANSPARENTES MEDIANTE NANOESTRUCTURACIÓN DE PELÍCULAS METÁLICAS

2012; CEILAP-UNIDEF-CONICET-CITEDEF; Volume: 22; Issue: 2 Linguagem: Espanhol

10.31527/analesafa.2011.22.2.37

1850-1168

Víctor Toranzos, Galo Ortiz, R.R. Koropecki,

Semiconductor Lasers and Optical Devices

En el presente trabajo se propone un método para la fabricación de películas nanoestructuradas de Ag por evaporación al vacío en el cual se mide en tiempo real su resistividad por unidad de espesor (p/e) durante el crecimiento de la misma. La incorporación de un comparador de resistencias permite un control del corte de evaporación con el cual se ha logrado repetibilidad en la producción de películas con p/e <10 y transmitancia media del 60% en el espectro visible. Analizamos los efectos de la nanoestructura de las películas delgadas de Ag sobre las propiedades electro-ópticas. Encontramos que la conductividad respecto al bulto puede ser menor a baja frecuencia, mientras que mayor en el rango óptico, debido a disipación de energía por la excitación de plasmones.