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Artigo
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ChemInform Abstract: HYDROGEN‐IMPLANTED SILICON NITRIDE

1982; Wiley; Volume: 13; Issue: 49 Linguagem: Alemão

10.1002/chin.198249341

ISSN

2199-2924

Autores

H. J. Stein,

Tópico(s)

Advanced ceramic materials synthesis

Resumo

Abstract SiN‐Filme wurden durch Dampfabscheidungen der Zers‐Produkte von NH 3 ‐ und SiH 4 ‐Gasen auf Si‐Substraten bei 850°C erzeugt.

Referência(s)
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