ChemInform Abstract: HYDROGEN‐IMPLANTED SILICON NITRIDE
1982; Wiley; Volume: 13; Issue: 49 Linguagem: Alemão
10.1002/chin.198249341
ISSN2199-2924
Autores Tópico(s)Advanced ceramic materials synthesis
ResumoAbstract SiN‐Filme wurden durch Dampfabscheidungen der Zers‐Produkte von NH 3 ‐ und SiH 4 ‐Gasen auf Si‐Substraten bei 850°C erzeugt.
Referência(s)