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DEPOSIÇÃO REATIVA DE FILMES DE NITRETO DE SILICIO OBTIDOS ATRAVÉS DE UM SISTEMA RF PLANAR MAGNETRON SPUTTERING

1992; Volume: 11; Issue: 1 Linguagem: Português

10.17563/rbav.v11i1.515

1983-4047

Alexander Flacker, A. C. Pagoto, Alfeu Fissore,

Metal and Thin Film Mechanics

O objetivo deste trabalho foi realizar um estudo da deposicao de filmes de nitreto de silicio em substratos de silicio polido tipo n e orientacao (111), atraves de um sistema “RF PLANAR MAGNETRON SPUTTERING”. O estudo consistiu em se verificar o comportamento do indice de refracao e da taxa de deposicao em funcao da variacao da pressao parcial do gas nitrogenio em tres densidades de potencia: 1,09 e 1,45 e 2,90 Watts/cm2. Os estudos mostraram uma acentuada dependencia da taxa de deposicao e da estequiometria do filme de nitreto de silicio em relacao a potencia de sputtering empregada, e esta dependencia esta tambem relacionada com o fluxo de gas nitrogenio admitido na câmara de sputtering, mantendo-se constantes os demais parâmetros de deposicao.