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Estructura Electrónica de GaAs y AlAs usando un Hamiltoniano Tight-Binding sp3s∗

2021; Pedagogical and Technological University of Colombia; Volume: 12; Issue: 2 Linguagem: Espanhol

10.19053/01217488.v12.n2.2021.12612

2462-7658

D.A. Rasero, A.A. Portacio, Daniel Suescún-Díaz,

Molecular Junctions and Nanostructures

Calculamos los estados electrónicos en volumen para GaAs y AlAs en estructura Zinc-Blenda usando el método Tight-Binding (TB). El Hamiltoniano TB se construyó usando una base de orbitales s, p y s∗. Los orbitales s∗ representan estados excitados con igual simetría de los orbitales s. Llevando a cabo la diagonalización numérica del Hamiltoniano, se determinaron las relaciones de dispersión para algunas direcciones de alta simetría de la primera zona de Brillouin (PZB), obteniendo un gap directo de 1.54 eV para GaAs y un gap indirecto de 2.26 eV para AlAs. Las densidades de estados totales (DOS) y parciales indican la presencia de orbitales s en la parte inferior de la banda de valencia (BV), orbitales p en la parte superior de la BV y en la parte inferior de la banda de conducción (BC), y orbitales s∗ en la parte superior de la BC. Nuestros resultados concuerdan bastante bien con otros reportes experimentales y teóricos.