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Störstellenreaktionen bei Cu-dotierten Siliziumkristallen

1986; Wiley; Volume: 95; Issue: 2 Linguagem: Inglês

10.1002/pssa.2210950237

1521-396X

Heinz U. Lemke,

Surface and Thin Film Phenomena

Bei Cu-dotierten n-Kristallen kann eine starke Beeinflussung der DLTS-Spektren durch die Kontaktmetalle Pd und Au beobachtet werden. Temperungen im Bereich T ≧ 300 K verursachen in den Randschichtbereichen der n- und p-Kristalle (Tiefe 10 bis 20 μ)Störstellenreaktionen, wobei mehr als zehn zusätzliche Zentren gebildet werden. Im Volumen liegt dagegen nur eine Störstelle mit den Zuständen Cu+, Cu0, Cu− und Cu−− und den Energieniveaus Ev + 0,23, Ev +0,46 und Ec− 0,16 eV vor. Bei einer Temperung wird zunächst die Reaktion Cu → E1 mit E1 = Ev + + 0,64 eV beobachtet. Anschließend existieren wahrscheinlich die Reaktionskanäle E1 → E2und E1 → E3 mit E2 = Ev + 0,17 und E3 = Ev + 0,09 eV. Die fur T ≧ 500 K beobachtete Zu- nahme der Konzentration [Cu] wird durch die Reaktion E3 → Cu verursacht. The DLTS-spectra for Cu-doped n-crystals are strongly influenced by the contact metals Pd and Au. The annealing of n- and p-erystals in the region T ≧ 300 K is connected withdefect reactions in the surface regions of the crystals (depth 10 to 20 μm) where more than ten impurity centres are produced. On the other hand for the bulk of the crystals only one impurity centre is determined with the charge states Cu+, Cu0, Cu− and Cu−− and levels at Ev + 0.23, Ev + 0.46 and Ec - 0.16 eV. For annealed crystals at first the reaction Cu → Et with E1 = Ev + 0.64 eV is observed. Later there exist the reaction channels E1 → E2 and E1 → E3 with E2w = Ev + 0.17 and E3 = Ev + + 0.09 eV. The observed increase of [Cu] for T ≧ 500 K is caused by the reaction E3 → Cu.