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Effect of ionizing radiation and Sr2+ concentration on hardening of KCl crystals

1970; Wiley; Volume: 2; Issue: 3 Linguagem: Inglês

10.1002/pssa.19700020325

1521-396X

M. Suszyńska,

Semiconductor materials and interfaces

The hardening of KCl crystals induced by ionizing radiation or Sr2+ admixture (9 to 1000 ppm) is examined by measuring the size of patterns revealed around indentation by the etching method or by decoration with F-centres. A characteristic change of hardening efficiency observed above 200 ppm Sr2+ is probably related with a change in the distribution mode of impurity ions in the host crystal. With increasing Sr2+ concentration the number of subgrain boundaries increases while the density of isolated dislocations significantly decreases. The effectivity of radiation in the hardening of pure crystals is higher than the effectivity of Sr2+ ions. Es wird die Verfestigung von KCl-Kristallen, die durch ionisierende Strahlung oder Sr2+− Zugabe (9 bis 1000 ppm) induziert wird, durch Messung der Größe der Muster, die um einem Eindruck durch Ätzen oder Dekoration mit F-Zentren sichtbar gemacht werden, untersucht. Eine charakteristische Änderung der Verfestigungseffektivität, die oberhalb 200 ppm Sr2+ beobachtet wird, ist wahrscheinlich mit einer Änderung der Verteilungsmode der Defektionen im Wirtskristall verbunden. Mit wachsender Sr2+-Konzentration nimmt die Zahl der Subkorngrenzen zu, während die Dichte der isolierten Versetzungen bedeutend abnimmt. Die Wirksamkeit der Strahlung bei der Verfestigung reiner Kristalle ist höher als die Effektivität von Sr2+-Ionen.