Artigo Revisado por pares

Oxygen diffusion barriers using a new sacrificial design concept for future high-density memory devices

2003; Springer Science+Business Media; Volume: -1; Issue: 1 Linguagem: Inglês

10.1007/s003390301412

ISSN

1432-0630

Autores

D.S. Yoon, J.S. Roh,

Tópico(s)

Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design

Referência(s)
Altmetric
PlumX