Multiexciton complexes in semiconductors
1981; Lebedev Physical Institute; Volume: 135; Issue: 10 Linguagem: Russo
10.3367/ufnr.0135.198110d.0237
ISSN1996-6652
AutoresV.D. Kulakovskii, G.E. Pikus, V. B. Timofeev,
Tópico(s)Phase-change materials and chalcogenides
ResumoУСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК 37.311,33 МНОГОЭКСИТОННЫЕ КОМПЛЕК Ы В ПОЛУПРОВОДНИКАХ В. Д. Кулаковский, Т. Е. Пикус, В. Б. Тимофеев СОДЕРЖАНИЕ 1. Введение 237 2. Оболочечная модель связанных многоэкситонных комплексов 238 3. Спектры излучения МЭПК в Si 241 а) Одноэлектронные переходы (241).б) Двухэлектронные переходы в ЭПК (245).4. Тонкая структура уровней ЭПК в Ge 246 5. Правила отбора для переходов в МЭПК в Si и Ge 249 6. Влияние упругих одноосных формаций на спектры излучения МЭПК . . .252 а) Вырождение зон и стабильность комплексов (252).б) Расщепление зон, уровней свободного экситона и мелких примесей в деформированном Si (254).в) Расщепление уровней МЭПК в Si, деформированном вдоль оси (111) (256).г) Влияние расщепления зоны проводимости (258).д) «Горячая» люминесценция МЭПК (259).е) Особенности расщепления уровней при сильной j -/связи (260).ж) Поляризация линий излучения МЭПК в деформированном кремнии (262).з) Энергия связи МЭПК в деформированном Si (266).7. Влияние магнитного поля на спектры МЭПК 267 а) Зеемановское расщепление (267).б) α-линии в Si (Ρ) в геометрии Фойхта (269).в) α-линии в Si (Ρ) в геометрии Фарадея (271).г) МЭПК в Si (В) в геометрии Фойхта (273).д) Спектры НАЭ т при сильном / -/-взаимодействии (274).е) Поляризация излучения МЭПК в продольном магнитном поле (275).ж) g-факторы электронов и дырок в МЭПК (277).з) Диамагнитное расщепление термов ЭПК на НД в Ge (278).и) Диамагнитные сдвиги линий МЭПК в Si (279) 8. Электронно-дырочный и электронно-электронный обмен и тонкая структура уровней МЭПК в Si 280 9. Заключение 282 Цитированная литература 282 1. ВВЕДЕНИЕ
Referência(s)