Produção Nacional
Revisado por pares
Transporte Eletrônico no Semicondutor Carbeto de Silício na Fase 3C
2022; Universidade Federal de Roraima, Centro de Ciência e Tecnologia; Volume: 8; Linguagem: Português
10.18227/2447-7028rct.v8i06430
ISSN2447-7028
AutoresAmanda M. D. Corrêa, Clóves Gonçalves Rodrigues,
Tópico(s)Copper Interconnects and Reliability
ResumoNeste trabalho estudamos teoricamente a mobilidade eletrônica do semicondutor carbeto de silício na fase 3C, chamado de 3C-SiC. O 3C-SiC tem mostrado uma grande potencialidade para aplicações em condições extremas. Assim o estudo da mobilidade eletrônica deste semicondutor é de grande interesse. Neste trabalho foi deduzido teoricamente a velocidade de deriva, o deslocamento e a mobilidade dos portadores de carga no semicondutor 3C-SiC dopado tipo n e submetido a um campo elétrico constante sendo analisada a dependência destas propriedades com a intensidade do campo elétrico e temperatura. Para tanto, foi utilizada uma equação diferencial de movimento com um termo de fonte (devido a campos elétricos) e um termo de resistência ao movimento (resistência elétrica).
Referência(s)