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Artigo Revisado por pares
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Elimination of splash damage for smaller scribe widths in next-gen memory devices via stealth dicing

2024; Elsevier BV; Volume: 181; Linguagem: Inglês

10.1016/j.mssp.2024.108628

ISSN

1873-4081

Autores

Dao Kun Lim, Venkata Rama Satya Pradeep Vempaty, Aibin Yu, Wen How Sim, Harjashan Veer Singh,

Tópico(s)

Ferroelectric and Negative Capacitance Devices

Referência(s)